紐卡斯爾大學EEE8125考試難嗎？復習重點是什么？

老師，我想問一下紐卡斯爾大學EEE8125這門課的考試難嗎？我應該重點復習哪些內容？我們再過一段時間就考試了，我怕臨近考試再復習趕不上趟，所以想先讓老師幫忙總結一下復習的重點。

最佳答案

課程顧問-小管家 2023-08-30 16:27:53
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紐卡斯爾大學EEE8125先進設備制造這門課提供了一系列高級電子設備制造的知識，解釋了成品率和可靠性的重要性，討論了電子設備技術的未來發(fā)展方向，并且教授了在潔凈室制造和測試電子器件的實踐經驗。以下是我們總結的考試復習重點，希望能幫助你備考。
1、硅外延：應用、汽相淀積、摻雜和自動摻雜；分子束外延；納米級表征。
2、多晶硅沉積：應用、沉積過程和速率、電特性、臺階覆蓋、多晶硅的氧化。
3、氧化：熱氧化物和CVD氧化物的用途、干氧化物和濕氧化物的生長和性質、摻雜劑分布、氧化物質量、CVD工藝、摻雜氧化物及其應用、臺階覆蓋和平面化；high-k電介質。
4、金屬化：金屬化、蒸發(fā)和濺射的用途和所需特性，鋁、硅化物和金金屬化技術，金屬化的一般特性。
5、蝕刻：類型、蝕刻速率、選擇性、各向異性、均勻性、案例研究；反應離子蝕刻，工藝監(jiān)控和終點檢測，圖案轉移問題，缺陷和雜質，深度反應離子蝕刻。
6、表面污染：顆粒和薄膜、污染源、清潔方法；光刻膠去除。
7、過程監(jiān)控：結深、電阻率和薄層電阻、霍爾效應、多數(shù)載流子遷移率、摻雜分布、電流-電壓特性、線寬。
8、深亞微米光刻：G線，I線，深紫外，分辨率，焦深，相移光刻，電子束光刻，x射線光刻，成本。
9、互連：對平面工藝的需求、CR延遲、材料系統(tǒng)需求列表、電遷移和可靠性、平均無故障時間。
10、興奮劑技術：離子注入、設備、摻雜劑分布、溝道效應、擴散摻雜。摻雜的電學和物理特性。
11、新材料和技術：新型柵極疊層(金屬柵極、high-k電介質、原子層沉積)、新型溝道材料(應變Si/SiGe)、用于高溫電子器件的SiC、高級互連(Cu-low k)、納米技術。
12、使用潔凈室技術制造和測試電子器件。
如果你能詳細分析半導體器件制造中使用的各個處理階段及其對器件性能和產量的影響，并具備在潔凈室制造電子設備的實踐經驗，同時了解潔凈室協(xié)議，就應該可以相對輕松地完成考試。此外，你還可以直接聯(lián)系我們，以獲得更有針對性的紐卡斯爾大學考試復習建議。