課程內(nèi)容：

場效應(yīng)晶體管(FET)技術(shù)已經(jīng)達到納米尺度。解析公式已無法描述這些設(shè)備的運行情況，因此計算機輔助設(shè)計技術(shù)(TCAD)已成為預(yù)測這些微型設(shè)備運行和性能的必要手段。

本課程的目的是了解極短通道長度對場效應(yīng)管性能的影響。課程將使用Synopsis開發(fā)的Sentaurus軟件來研究與納米級場效應(yīng)管相關(guān)的問題。課程將評估最新研發(fā)的場效應(yīng)晶體管，例如鰭式場效應(yīng)晶體管、超薄體和盒式場效應(yīng)晶體管、納米線和納米片場效應(yīng)晶體管。

課程結(jié)束時，你將了解納米場效應(yīng)晶體管的最新發(fā)展水平及其優(yōu)缺點，并能夠使用商業(yè)工具Sentaurus來模擬新型納米半導(dǎo)體器件的性能。

學(xué)習(xí)成果：

成功完成本課程后，學(xué)生將能夠：

1、批判性地分析納米尺度場效應(yīng)晶體管中的輸運過程、

2、能在給定幾何形狀和材料參數(shù)的情況下，使用Sentaurus TCAD的數(shù)值模擬推導(dǎo)器件特性。

3、提取場效應(yīng)晶體管的性能參數(shù)，并嚴格評估其在應(yīng)用中的相關(guān)性。

4、閱讀和撰寫半導(dǎo)體器件設(shè)計領(lǐng)域的技術(shù)論文及其對未來CMOS發(fā)展的影響。

5、使用Synopsis中的Sentaurus TCAD設(shè)計/優(yōu)化當前和新型設(shè)備。